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定義-垂直金属酸化物半導体（VMOS）とはどういう意味ですか？
垂直金属酸化物半導体（VMOS）は、金属酸化物半導体（MOS）トランジスターの一種であり、トランジスターのゲートとして機能するために基板に垂直に切り込まれたV字型の溝のために命名されました。ソースからデバイスの「ドレイン」に向かって流れる電流が大きくなります。
垂直金属酸化物半導体は、V溝MOSとしても知られています。
Techopediaは垂直金属酸化物半導体（VMOS）を説明します
垂直金属酸化物半導体は、シリコンに4つの異なる拡散層を形成し、真ん中にV字型の溝を垂直方向に正確に制御された深さでエッチングすることで構成されます。 次に、溝内の二酸化ケイ素上に金属、通常は窒化ガリウム（GaN）を堆積することにより、V字型溝内にゲート電極を形成します。
VMOSは、主にUMOSやトレンチゲートMOSなどの優れた形状が導入されるまで「ストップギャップ」パワーデバイスとして使用されてきました。これにより、上部の電界が低くなり、最大電圧が高くなります。 VMOSトランジスタ。
