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定義-メモリー抵抗（Memristor）とはどういう意味ですか？
メモリ抵抗（メモリスタ）は、元の基本回路要素である抵抗、コンデンサ、インダクタに加えて、4番目の基本電気回路要素と見なされる非線形受動2端子電気部品です。 抵抗器と同様に、デバイス全体に安全な電流の流れを作成して維持しますが、最後に流れた電荷を記憶することもできます。 通常の抵抗器とは異なり、電流や電圧が存在しない場合でも充電を「記憶」できるため、デバイスがオフになっている場合でも情報を保存できます。
Techopediaはメモリ抵抗器（Memristor）について説明します
メモリ抵抗器は、1971年にレオン・チュア博士によって最初に提示された理論として始まりました。これは、本質的に、電荷と磁束リンケージの間に非線形の関係を持つ2端子受動回路です。 メモリ抵抗器は、電圧、電流、およびそれらの時間積分の基本回路変数に引き続き従いますが、メモリとの動的機能を持ち、他の3つの基本回路要素には見られない正味電荷の何らかの機能として説明できます。
メモリスタは、現在の区画化されたコンピューティング構造を大幅に変更できる論理機能も備えています。これにより、同じスペースでデータを処理および保存できるデバイスを作成できるからです。 現在、標準のメモリ抵抗はありませんが、代わりに、各デバイスは電圧の積分が電流の積分を決定する特定の機能を実装し、逆も同様です。
メモリスタはまだ開発中であるため、それらの将来は最良の材料実装を決定することに依存しています。 現在、IBM、Samsung、HRL、Hewlett Packard、および他の多くの研究室が二酸化チタンのメモリスタに関心を示していますが、研究されているメモリスタの種類は他にもたくさんあります。
