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定義-ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）とはどういう意味ですか？
ダイナミックランダムアクセスメモリ（DRAM）は、コンピューティングデバイス（主にPC）で使用される一種のランダムアクセスメモリです。 DRAMは、集積回路基板内にある個別の受動電子コンポーネントにデータの各ビットを保存します。 各電気コンポーネントには、1ビットで0と1と呼ばれる2つの値の状態があります。この捕獲器は、多くの場合、情報がフェードするように更新する必要があります。 6個のトランジスタを必要とするスタティックランダムアクセスメモリ（SRAM）とは対照的に、DRAMにはビットごとに1つのコンデンサと1つのトランジスタがあります。 使用されるコンデンサとトランジスタは非常に小さいです。 1つのメモリチップに適合する数百万のコンデンサとトランジスタがあります。
TechopediaがDynamic Random Access Memory（DRAM）について説明しています
DRAMはダイナミックメモリであり、SRAMはスタティックメモリです。 回路基板上のDRAMチップは、数ミリ秒ごとに更新する必要があります。 これは、データをモジュールに書き換えることにより行われます。 リフレッシュが必要なチップは揮発性メモリです。 DRAMはメモリに直接アクセスし、メモリを短期間保持し、電源を切るとデータを失います。 SRAMは、静的な揮発性メモリであり、更新する必要はありません。 SRAMははるかに高速であるため、レジスタおよびキャッシュメモリで使用されます。 SRAMはデータを保持し、DRAMよりも高速で動作します。 SRAMは高速ですが、DRAMは製造コストがはるかに低いため、マザーボードでより頻繁に使用されます。
メモリチップを含む回路基板の3つの主なタイプは、デュアルインラインメモリモジュール（DIMM）、シングルインラインメモリモジュール（SIMM）、およびラムバスインラインメモリモジュール（RIMM）です。 今日、マザーボードの大半はDIMMを使用しています。 DRAMのモジュールリフレッシュレートは、数ミリ秒（1/1000秒）ごとです。 この更新は、マザーボードのチップセットにあるメモリコントローラによって行われます。 リフレッシュロジックは自動リフレッシュに使用されるため、DRAM回路基板は非常に複雑です。 更新にはさまざまなシステムが使用されますが、すべての方法では、次に更新する必要がある行を追跡するためにカウンターが必要です。 DRAMセルは、通常1024 x 1024セルの正方形のコンデンサの集まりで構成されています。 セルが「読み取り」状態の場合、行全体が読み取られ、リフレッシュが書き戻されます。 「書き込み」状態の場合、行全体が「読み取り」され、1つの値が変更された後、行全体が書き換えられます。 システムによっては、カウンターを含むDRAMチップがありますが、他のシステムはカウンターを含む周辺機器のリフレッシュロジックに依存しています。 DRAMのアクセス時間は約60ナノ秒ですが、SRAMは10ナノ秒にまで短縮できます。 また、DRAMのサイクル時間はSRAMのサイクル時間よりもはるかに長くなります。 SRAMは、アクセスとリフレッシュの間に停止する必要がないため、サイクル時間が短くなります。
